Name: SIR426DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR426DP-T1-GE3TR-ND
Price: 2623 KRW
Availability: InStock

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SIR426DP-T1-GE3
DigiKey 제품 번호	SIR426DP-T1-GE3TR-ND - 테이프 및 릴(TR) SIR426DP-T1-GE3CT-ND - 컷 테이프(CT) SIR426DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Vishay Siliconix
제조업체 제품 번호	SIR426DP-T1-GE3
제품 요약	MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
제조업체 표준 리드 타임	38주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 40 V 30A(Tc) 4.8W(Ta), 41.7W(Tc) 표면 실장 PowerPAK® SO-8
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	SIR426DP-T1-GE3 모델

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 2.5V @ 250µA
제조업체 Vishay Siliconix	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 31 nC @ 10 V
계열 TrenchFET®	Vgs(최대) ±20V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 1160 pF @ 20 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 4.8W(Ta), 41.7W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 40 V	공급 장치 패키지 PowerPAK® SO-8
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 30A(Tc)	패키지/케이스 PowerPAK® SO-8
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V	기준 제품 번호 SIR426
Rds On(최대) @ Id, Vgs 10.5m옴 @ 15A, 10V

제품 정보 오류 보고

문서 및 미디어

환경 및 수출 등급 분류

추가 리소스

대체품(9)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
RGW80TS65GC11	Rohm Semiconductor	122	RGW80TS65GC11-ND	₩10,209.00000	유사
RQ3G100GNTB	Rohm Semiconductor	45,668	RQ3G100GNTBCT-ND	₩1,342.00000	유사
RS1G120MNTB	Rohm Semiconductor	13,323	RS1G120MNTBCT-ND	₩1,405.00000	유사
RS1G150MNTB	Rohm Semiconductor	8,587	RS1G150MNTBCT-ND	₩2,498.00000	유사
TQM110NB04CR RLG	Taiwan Semiconductor Corporation	4,738	1801-TQM110NB04CRRLGCT-ND	₩3,060.00000	유사