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등가 파라미터

IRF540SPBF
Vishay Siliconix
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등가 파라미터

IRF540STRLPBF
Vishay Siliconix
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등가 파라미터

IRF540STRRPBF
Vishay Siliconix
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단가 : ₩5,653.00000
규격서

등가 파라미터

SIHF540S-GE3
Vishay Siliconix
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단가 : ₩1,095.50500
규격서
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N채널 100 V 28A(Tc) 3.7W(Ta), 150W(Tc) 표면 실장 TO-263(D2PAK)
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N채널 100 V 28A(Tc) 3.7W(Ta), 150W(Tc) 표면 실장 TO-263(D2PAK)
TO-263-3

SIHF540STRL-GE3

DigiKey 제품 번호
742-SIHF540STRL-GE3TR-ND - 테이프 및 릴(TR)
제조업체
Vishay Siliconix
제조업체 제품 번호
SIHF540STRL-GE3
제품 요약
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
제조업체 표준 리드 타임
33주
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 100 V 28A(Tc) 3.7W(Ta), 150W(Tc) 표면 실장 TO-263(D2PAK)
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
Vishay Siliconix
계열
-
포장
테이프 및 릴(TR)
부품 현황
활성
FET 유형
N채널
기술
MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
28A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
77m옴 @ 17A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
1700 pF @ 25 V
FET 특징
-
내전력(최대)
3.7W(Ta), 150W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
표면 실장
공급 장치 패키지
TO-263(D2PAK)
패키지/케이스
TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
기준 제품 번호
SIHF540
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수량
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테이프 및 릴(TR)
수량 단가 총액
800₩2,000.94375₩1,600,755
1,600₩1,865.46125₩2,984,738
2,400₩1,851.34958₩4,443,239
제조업체 표준 포장