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보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.
SIHD7N60ET5-GE3 | |
|---|---|
DigiKey 제품 번호 | SIHD7N60ET5-GE3-ND - 테이프 및 릴(TR) |
제조업체 | |
제조업체 제품 번호 | SIHD7N60ET5-GE3 |
제품 요약 | MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA |
제조업체 표준 리드 타임 | 24주 |
고객 참조 번호 | |
제품 세부 정보 | N채널 600 V 7A(Tc) 78W(Tc) 표면 실장 TO-252AA |
규격서 | 규격서 |
제품 특성
유사 제품 검색
빈 특성 표시
종류 | Vgs(th)(최대) @ Id 4V @ 250µA |
제조업체 | 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 40 nC @ 10 V |
계열 | Vgs(최대) ±30V |
포장 테이프 및 릴(TR) | 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 680 pF @ 100 V |
부품 현황 활성 | 내전력(최대) 78W(Tc) |
FET 유형 | 작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ) |
기술 | 실장 유형 표면 실장 |
드레인 - 소스 전압(Vdss) 600 V | 공급 장치 패키지 TO-252AA |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 패키지/케이스 |
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V | 기준 제품 번호 |
Rds On(최대) @ Id, Vgs 600m옴 @ 3.5A, 10V |
제품 정보 오류 보고
문서 및 미디어
환경 및 수출 등급 분류
제품 관련 질문 및 답변
추가 리소스
대체품(9)
| 부품 번호 | 제조업체 | 주문 가능 수량 | DigiKey 제품 번호 | 단가 | 대체품 유형 |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHD7N60E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHD7N60E-E3-ND | ₩1,525.62000 | 등가 파라미터 |
| SIHD7N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 80 | SIHD7N60E-GE3-ND | ₩4,479.00000 | 등가 파라미터 |
| SIHD7N60ET1-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | 742-SIHD7N60ET1-GE3TR-ND | ₩1,226.20450 | 등가 파라미터 |
| SIHD7N60ET4-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHD7N60ET4-GE3-ND | ₩1,105.17467 | 등가 파라미터 |
| IPD60R600E6ATMA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPD60R600E6ATMA1TR-ND | ₩0.00000 | 유사 |
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수량
모든 가격은 KRW 기준입니다.
테이프 및 릴(TR)
| 수량 | 단가 | 총액 |
|---|---|---|
| 3,000 | ₩1,105.17467 | ₩3,315,524 |
| 6,000 | ₩1,089.27000 | ₩6,535,620 |
