Name: SIHD7N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHD7N60E-GE3-ND
Price: 4479 KRW
Availability: InStock

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 4V @ 250µA
제조업체 Vishay Siliconix	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 40 nC @ 10 V
포장 벌크	Vgs(최대) ±30V
부품 현황 활성	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 680 pF @ 100 V
FET 유형 N채널	내전력(최대) 78W(Tc)
기술 MOSFET(금속 산화물)	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 600 V	실장 유형 표면 실장
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 7A(Tc)	공급 장치 패키지 DPAK
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	패키지/케이스 TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
Rds On(최대) @ Id, Vgs 600m옴 @ 3.5A, 10V	기준 제품 번호 SIHD7

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추가 리소스

대체품(10)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
AOD7S60	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	3,873	785-1266-1-ND	₩457.00000	유사
CDM7-600LR TR13 PBFREE	Central Semiconductor Corp	476	1514-CDM7-600LRTR13PBFREECT-ND	₩392.00000	유사
FCD600N60Z	onsemi	15,045	FCD600N60ZCT-ND	₩505.00000	유사
FCD7N60TM-WS	onsemi	1,188	FCD7N60TM-WSCT-ND	₩547.00000	유사
STD10N60M2	STMicroelectronics	3,547	497-13937-1-ND	₩296.00000	유사

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SIHD7N60E-GE3