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보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.
SIHB22N60AE-GE3 | |
|---|---|
DigiKey 제품 번호 | SIHB22N60AE-GE3-ND |
제조업체 | |
제조업체 제품 번호 | SIHB22N60AE-GE3 |
제품 요약 | MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK |
제조업체 표준 리드 타임 | 24주 |
고객 참조 번호 | |
제품 세부 정보 | N채널 600 V 20A(Tc) 179W(Tc) 표면 실장 TO-263(D2PAK) |
규격서 | 규격서 |
EDA/CAD 모델 | SIHB22N60AE-GE3 모델 |
제품 특성
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빈 특성 표시
종류 | Vgs(th)(최대) @ Id 4V @ 250µA |
제조업체 | 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 96 nC @ 10 V |
계열 | Vgs(최대) ±30V |
포장 튜브 | 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 1451 pF @ 100 V |
부품 현황 활성 | 내전력(최대) 179W(Tc) |
FET 유형 | 작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ) |
기술 | 실장 유형 표면 실장 |
드레인 - 소스 전압(Vdss) 600 V | 공급 장치 패키지 TO-263(D2PAK) |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 패키지/케이스 |
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V | 기준 제품 번호 |
Rds On(최대) @ Id, Vgs 180m옴 @ 11A, 10V |
제품 정보 오류 보고
문서 및 미디어
환경 및 수출 등급 분류
제품 관련 질문 및 답변
추가 리소스
대체품(10)
| 부품 번호 | 제조업체 | 주문 가능 수량 | DigiKey 제품 번호 | 단가 | 대체품 유형 |
|---|---|---|---|---|---|
| FCB20N60FTM | onsemi | 1,795 | FCB20N60FTMCT-ND | ₩10,732.00000 | 유사 |
| IPB60R160C6ATMA1 | Infineon Technologies | 1,095 | IPB60R160C6ATMA1CT-ND | ₩6,482.00000 | 유사 |
| IPB60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | 2,045 | IPB60R180P7ATMA1CT-ND | ₩4,770.00000 | 유사 |
| IPB60R199CPATMA1 | Infineon Technologies | 3,086 | IPB60R199CPATMA1CT-ND | ₩6,406.00000 | 유사 |
| IXFA22N65X2 | IXYS | 4,207 | 238-IXFA22N65X2-ND | ₩10,763.00000 | 유사 |
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수량
모든 가격은 KRW 기준입니다.
튜브
| 수량 | 단가 | 총액 |
|---|---|---|
| 1,000 | ₩3,270.19500 | ₩3,270,195 |
