Name: IPB60R199CPATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB60R199CPATMA1TR-ND
Price: 7552 KRW
Availability: InStock

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IPB60R199CPATMA1
DigiKey 제품 번호	IPB60R199CPATMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) IPB60R199CPATMA1CT-ND - 컷 테이프(CT) IPB60R199CPATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	IPB60R199CPATMA1
제품 요약	MOSFET N-CH 600V 16A TO263-3
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 600 V 16A(Tc) 139W(Tc) 표면 실장 PG-TO263-3-2
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	IPB60R199CPATMA1 모델

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 3.5V @ 660µA
제조업체 Infineon Technologies	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 43 nC @ 10 V
계열 CoolMOS™ CP	Vgs(최대) ±20V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 1520 pF @ 100 V
부품 현황 최종 구매 가능일	내전력(최대) 139W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 600 V	공급 장치 패키지 PG-TO263-3-2
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 16A(Tc)	패키지/케이스 TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	기준 제품 번호 IPB60R199
Rds On(최대) @ Id, Vgs 199m옴 @ 9.9A, 10V

제품 정보 오류 보고

문서 및 미디어

환경 및 수출 등급 분류

추가 리소스

대체품(14)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
IPB60R180P7ATMA1	Infineon Technologies	4,812	IPB60R180P7ATMA1CT-ND	₩5,565.00000	제조업체 추천
AOB25S65L	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	800	785-1539-1-ND	₩8,638.00000	유사
IXFA22N65X2	IXYS	4,207	238-IXFA22N65X2-ND	₩11,955.00000	유사
SIHB21N60EF-GE3	Vishay Siliconix	30	SIHB21N60EF-GE3-ND	₩8,347.00000	유사
SIHB22N60E-GE3	Vishay Siliconix	0	SIHB22N60E-GE3-ND	₩7,705.00000	유사