설정
빠른 배송
무료 배송
Incoterms
결제 유형
Marketplace 제품
보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.
SIHB100N60E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey 제품 번호 | SIHB100N60E-GE3-ND |
제조업체 | |
제조업체 제품 번호 | SIHB100N60E-GE3 |
제품 요약 | MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK |
제조업체 표준 리드 타임 | 24주 |
고객 참조 번호 | |
제품 세부 정보 | N채널 600 V 30A(Tc) 208W(Tc) 표면 실장 TO-263(D2PAK) |
규격서 | 규격서 |
제품 특성
유사 제품 검색
빈 특성 표시
종류 | Vgs(th)(최대) @ Id 5V @ 250µA |
제조업체 | 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 50 nC @ 10 V |
계열 | Vgs(최대) ±30V |
포장 튜브 | 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 1851 pF @ 100 V |
부품 현황 활성 | 내전력(최대) 208W(Tc) |
FET 유형 | 작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ) |
기술 | 실장 유형 표면 실장 |
드레인 - 소스 전압(Vdss) 600 V | 공급 장치 패키지 TO-263(D2PAK) |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 패키지/케이스 |
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V | 기준 제품 번호 |
Rds On(최대) @ Id, Vgs 100m옴 @ 13A, 10V |
제품 정보 오류 보고
문서 및 미디어
환경 및 수출 등급 분류
제품 관련 질문 및 답변
추가 리소스
재고: 658
추가 입고 예정인 재고 확인
수량
모든 가격은 KRW 기준입니다.
튜브
| 수량 | 단가 | 총액 |
|---|---|---|
| 1 | ₩9,631.00000 | ₩9,631 |
| 50 | ₩5,075.00000 | ₩253,750 |
| 100 | ₩4,635.47000 | ₩463,547 |
| 500 | ₩3,865.99800 | ₩1,932,999 |
| 1,000 | ₩3,619.00600 | ₩3,619,006 |
| 2,000 | ₩3,481.84200 | ₩6,963,684 |
함께 고려해 볼 만한 제품모두 보기
9 품목
