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IXYS
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유사


IXYS
재고 있음: 0
단가 : ₩0.00000
규격서

유사


Rohm Semiconductor
재고 있음: 243
단가 : ₩154.21000
규격서

유사


Rohm Semiconductor
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단가 : ₩132.88000
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유사


Rohm Semiconductor
재고 있음: 0
단가 : ₩59.73808
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유사


Rohm Semiconductor
재고 있음: 181
단가 : ₩114.77000
규격서

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STMicroelectronics
재고 있음: 761
단가 : ₩139.34000
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STMicroelectronics
재고 있음: 1,004
단가 : ₩125.12000
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Taiwan Semiconductor Corporation
재고 있음: 2,000
단가 : ₩198.83000
규격서

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Taiwan Semiconductor Corporation
재고 있음: 2,000
단가 : ₩183.96000
규격서

유사


Taiwan Semiconductor Corporation
재고 있음: 2,000
단가 : ₩167.15000
규격서

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Taiwan Semiconductor Corporation
재고 있음: 2,000
단가 : ₩141.28000
규격서
N채널 600 V 21A(Tc) 35W(Tc) 스루홀 TO-220 풀팩(Full Pack)
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SIHA22N60E-E3

DigiKey 제품 번호
SIHA22N60E-E3-ND
제조업체
제조업체 제품 번호
SIHA22N60E-E3
제품 요약
MOSFET N-CH 600V 21A TO220
제조업체 표준 리드 타임
24주
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 600 V 21A(Tc) 35W(Tc) 스루홀 TO-220 풀팩(Full Pack)
규격서
 규격서
EDA/CAD 모델
SIHA22N60E-E3 모델
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
계열
-
포장
튜브
부품 현황
활성
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
180m옴 @ 11A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
1920 pF @ 100 V
FET 특징
-
내전력(최대)
35W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
스루홀
공급 장치 패키지
TO-220 풀팩(Full Pack)
패키지/케이스
기준 제품 번호
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튜브
수량 단가 총액
1₩7,904.00000₩7,904
50₩4,095.96000₩204,798
100₩3,727.21000₩372,721
500₩3,081.17400₩1,540,587
1,000₩2,873.74700₩2,873,747
2,000₩2,699.41750₩5,398,835
5,000₩2,675.40000₩13,377,000
제조업체 표준 포장
참고: DigiKey 부가 가치 서비스로 인해, 표준 패키지보다 적은 수량으로 제품을 구매할 경우 포장 유형이 변경될 수 있습니다.