Name: SI8812DB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8812DB-T2-E1TR-ND
Price: 1012 KRW
Availability: InStock

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SI8812DB-T2-E1
DigiKey 제품 번호	SI8812DB-T2-E1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) SI8812DB-T2-E1CT-ND - 컷 테이프(CT) SI8812DB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Vishay Siliconix
제조업체 제품 번호	SI8812DB-T2-E1
제품 요약	MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
제조업체 표준 리드 타임	13주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 20 V 2.3A(Ta) 500mW(Ta) 표면 실장 4-Microfoot
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	SI8812DB-T2-E1 모델

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Vishay Siliconix
계열	TrenchFET®
포장	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®
부품 현황	활성
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	2.3A(Ta)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	1.2V, 4.5V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	59m옴 @ 1A, 4.5V
Vgs(th)(최대) @ Id	1V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	17 nC @ 8 V
Vgs(최대)	±5V
FET 특징	-
내전력(최대)	500mW(Ta)
작동 온도	-55°C ~ 150°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	4-Microfoot
패키지/케이스	4-UFBGA
기준 제품 번호	SI8812

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