SI7164DP-T1-GE3
DigiKey 제품 번호	SI7164DP-T1-GE3TR-ND - 테이프 및 릴(TR) SI7164DP-T1-GE3CT-ND - 컷 테이프(CT) SI7164DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Vishay Siliconix
제조업체 제품 번호	SI7164DP-T1-GE3
제품 요약	MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 60 V 60A(Tc) 6.25W(Ta), 104W(Tc) 표면 실장 PowerPAK® SO-8
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	SI7164DP-T1-GE3 모델

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 4.5V @ 250µA
제조업체 Vishay Siliconix	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 75 nC @ 10 V
계열 TrenchFET®	Vgs(최대) ±20V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 2830 pF @ 30 V
부품 현황 단종	내전력(최대) 6.25W(Ta), 104W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 60 V	공급 장치 패키지 PowerPAK® SO-8
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 60A(Tc)	패키지/케이스 PowerPAK® SO-8
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	기준 제품 번호 SI7164
Rds On(최대) @ Id, Vgs 6.25m옴 @ 10A, 10V

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
SIR184DP-T1-RE3	Vishay Siliconix	5,359	SIR184DP-T1-RE3CT-ND	₩3,287.00000	제조업체 추천
CSD18533Q5A	Texas Instruments	31	296-35027-1-ND	₩2,752.00000	유사
CSD18563Q5AT	Texas Instruments	5,993	296-37748-1-ND	₩3,807.00000	유사
RS1L120GNTB	Rohm Semiconductor	6	RS1L120GNTBCT-ND	₩3,791.00000	유사
RS1L145GNTB	Rohm Semiconductor	558	RS1L145GNTBCT-ND	₩4,632.00000	유사

SI7164DP-T1-GE3