
SI4925DDY-T1-GE3 | |
|---|---|
DigiKey 제품 번호 | SI4925DDY-T1-GE3TR-ND - 테이프 및 릴(TR) SI4925DDY-T1-GE3CT-ND - 컷 테이프(CT) SI4925DDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
제조업체 | |
제조업체 제품 번호 | SI4925DDY-T1-GE3 |
제품 요약 | MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC |
제조업체 표준 리드 타임 | 24주 |
고객 참조 번호 | |
제품 세부 정보 | MOSFET - 어레이 30V 8A 5W 표면 실장 8-SOIC |
규격서 | 규격서 |
EDA/CAD 모델 | SI4925DDY-T1-GE3 모델 |
유형 | 제품 요약 | 모두 선택 |
|---|---|---|
종류 | ||
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | ||
포장 | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | |
부품 현황 | 활성 | |
기술 | MOSFET(금속 산화물) | |
구성 | 2 P 채널(이중) | |
FET 특징 | - | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 29m옴 @ 7.3A, 10V | |
Vgs(th)(최대) @ Id | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 50nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 1350pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면 실장 | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOIC | |
기준 제품 번호 |
| 수량 | 단가 | 총액 |
|---|---|---|
| 1 | ₩2,247.00000 | ₩2,247 |
| 10 | ₩1,421.30000 | ₩14,213 |
| 100 | ₩945.63000 | ₩94,563 |
| 500 | ₩741.71000 | ₩370,855 |
| 1,000 | ₩676.09300 | ₩676,093 |
| 수량 | 단가 | 총액 |
|---|---|---|
| 2,500 | ₩605.05280 | ₩1,512,632 |
| 5,000 | ₩561.14980 | ₩2,805,749 |
| 7,500 | ₩538.78653 | ₩4,040,899 |
| 12,500 | ₩530.18488 | ₩6,627,311 |









