Name: IRFBE30STRLPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRFBE30STRLPBFTR-ND
Price: 7430 KRW
Availability: InStock

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IRFBE30STRLPBF
DigiKey 제품 번호	IRFBE30STRLPBFTR-ND - 테이프 및 릴(TR) IRFBE30STRLPBFCT-ND - 컷 테이프(CT) IRFBE30STRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Vishay Siliconix
제조업체 제품 번호	IRFBE30STRLPBF
제품 요약	MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
제조업체 표준 리드 타임	37주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 800 V 4.1A(Tc) 125W(Tc) 표면 실장 TO-263(D2PAK)
규격서	규격서

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 4V @ 250µA
제조업체 Vishay Siliconix	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 78 nC @ 10 V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	Vgs(최대) ±20V
부품 현황 활성	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 1300 pF @ 25 V
FET 유형 N채널	내전력(최대) 125W(Tc)
기술 MOSFET(금속 산화물)	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 800 V	실장 유형 표면 실장
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 4.1A(Tc)	공급 장치 패키지 TO-263(D2PAK)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	패키지/케이스 TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
Rds On(최대) @ Id, Vgs 3옴 @ 2.5A, 10V	기준 제품 번호 IRFBE30

제품 정보 오류 보고

문서 및 미디어

환경 및 수출 등급 분류

추가 리소스

대체품(5)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
IRFBE30SPBF	Vishay Siliconix	960	IRFBE30SPBF-ND	₩6.13000	등가 파라미터
SIHFBE30S-GE3	Vishay Siliconix	960	742-SIHFBE30S-GE3CT-ND	₩3.53000	등가 파라미터
SIHFBE30STRL-GE3	Vishay Siliconix	800	742-SIHFBE30STRL-GE3CT-ND	₩3.53000	등가 파라미터
FQB4N80TM	onsemi	823	FQB4N80TMCT-ND	₩4.42000	유사
IRF540NSTRLPBF	Infineon Technologies	17,602	IRF540NSTRLPBFCT-ND	₩3.87000	유사