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보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.
IRFBE30SPBF | |
|---|---|
DigiKey 제품 번호 | IRFBE30SPBF-ND |
제조업체 | |
제조업체 제품 번호 | IRFBE30SPBF |
제품 요약 | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK |
제조업체 표준 리드 타임 | 37주 |
고객 참조 번호 | |
제품 세부 정보 | N채널 800 V 4.1A(Tc) 125W(Tc) 표면 실장 TO-263(D2PAK) |
규격서 | 규격서 |
EDA/CAD 모델 | IRFBE30SPBF 모델 |
제품 특성
유사 제품 검색
빈 특성 표시
종류 | Vgs(th)(최대) @ Id 4V @ 250µA |
제조업체 | 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 78 nC @ 10 V |
포장 튜브 | Vgs(최대) ±20V |
부품 현황 활성 | 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 1300 pF @ 25 V |
FET 유형 | 내전력(최대) 125W(Tc) |
기술 | 작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ) |
드레인 - 소스 전압(Vdss) 800 V | 실장 유형 표면 실장 |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 공급 장치 패키지 TO-263(D2PAK) |
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V | 패키지/케이스 |
Rds On(최대) @ Id, Vgs 3옴 @ 2.5A, 10V | 기준 제품 번호 |
제품 정보 오류 보고
문서 및 미디어
환경 및 수출 등급 분류
제품 관련 질문 및 답변
추가 리소스
대체품(2)
| 부품 번호 | 제조업체 | 주문 가능 수량 | DigiKey 제품 번호 | 단가 | 대체품 유형 |
|---|---|---|---|---|---|
| FQB4N80TM | onsemi | 823 | FQB4N80TMCT-ND | ₩4.42000 | 유사 |
| STB7NK80ZT4 | STMicroelectronics | 2,414 | 497-6557-1-ND | ₩5.79000 | 유사 |
재고: 960
추가 입고 예정인 재고 확인
수량
모든 가격은 KRW 기준입니다.
튜브
| 수량 | 단가 | 총액 |
|---|---|---|
| 1 | ₩6,834.00000 | ₩6,834 |
| 50 | ₩3,494.84000 | ₩174,742 |
| 100 | ₩3,171.19000 | ₩317,119 |
| 500 | ₩2,604.28000 | ₩1,302,140 |
| 1,000 | ₩2,422.18500 | ₩2,422,185 |
| 2,000 | ₩2,269.13650 | ₩4,538,273 |
| 5,000 | ₩2,197.65000 | ₩10,988,250 |
