Name: XPJR6604PB,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPJR6604PBLXHQTR-ND
Price: 3630 KRW
Availability: InStock

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XPJR6604PB,LXHQ
DigiKey 제품 번호	264-XPJR6604PBLXHQTR-ND - 테이프 및 릴(TR) 264-XPJR6604PBLXHQCT-ND - 컷 테이프(CT) 264-XPJR6604PBLXHQDKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제조업체 제품 번호	XPJR6604PB,LXHQ
제품 요약	40V; UMOS9; 0.66MOHM; S-TOGL
제조업체 표준 리드 타임	16주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 40 V 200A(Ta) 375W(Tc) 표면 실장 S-TOGL™
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	XPJR6604PB,LXHQ 모델

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
계열	U-MOSIX-H
포장	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®
부품 현황	활성
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	40 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	200A(Ta)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	6V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	0.66m옴 @ 100A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	3V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	128 nC @ 10 V
Vgs(최대)	±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	11380 pF @ 10 V
FET 특징	-
내전력(최대)	375W(Tc)
작동 온도	175°C
등급	자동차
인증	AEC-Q101
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	S-TOGL™
패키지/케이스	5-PowerSFN

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