Name: TPN4R203NC,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN4R203NCL1QTR-ND
Price: 774.5818 KRW
Availability: OutOfStock

TPN4R203NC,L1Q은(는) 구매 가능하지만 상시 재고로 확보되어 있지 않습니다.

사용 가능한 대체품:

유사

DMN3008SFGQ-13

Diodes Incorporated

재고 있음: 0

단가 : ₩503.88733

규격서

유사

IRFH8324TRPBF

Infineon Technologies

재고 있음: 45

단가 : ₩1,942.00000

규격서

모든 대체품 보기 및 비교

N채널 30 V 23A(Ta) 700mW(Ta), 22W(Tc) 표면 실장 8-TSON Advance(3.1x3.1)

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

TPN4R203NC,L1Q
DigiKey 제품 번호	TPN4R203NCL1QTR-ND - 테이프 및 릴(TR)
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제조업체 제품 번호	TPN4R203NC,L1Q
제품 요약	MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
제조업체 표준 리드 타임	16주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 30 V 23A(Ta) 700mW(Ta), 22W(Tc) 표면 실장 8-TSON Advance(3.1x3.1)
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	TPN4R203NC,L1Q 모델

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
계열	U-MOSVIII
포장	테이프 및 릴(TR)
부품 현황	활성
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	23A(Ta)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	4.5V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	4.2m옴 @ 11.5A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	2.3V @ 200µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	24 nC @ 10 V
Vgs(최대)	±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	1370 pF @ 15 V
FET 특징	-
내전력(최대)	700mW(Ta), 22W(Tc)
작동 온도	150°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	8-TSON Advance(3.1x3.1)
패키지/케이스	8-PowerVDFN
기준 제품 번호	TPN4R203