Name: TPN1110ENH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN1110ENHL1QTR-ND
Price: 3013 KRW
Availability: InStock

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TPN1110ENH,L1Q
DigiKey 제품 번호	TPN1110ENHL1QTR-ND - 테이프 및 릴(TR) TPN1110ENHL1QCT-ND - 컷 테이프(CT) TPN1110ENHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제조업체 제품 번호	TPN1110ENH,L1Q
제품 요약	MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
제조업체 표준 리드 타임	16주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 200 V 7.2A(Ta) 700mW(Ta), 39W(Tc) 표면 실장 8-TSON 고급(3.1x3.1)
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	TPN1110ENH,L1Q 모델

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
계열	U-MOSVIII-H
포장	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®
부품 현황	활성
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	7.2A(Ta)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	114m옴 @ 3.6A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	4V @ 200µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	7 nC @ 10 V
Vgs(최대)	±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	600 pF @ 100 V
FET 특징	-
내전력(최대)	700mW(Ta), 39W(Tc)
작동 온도	150°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	8-TSON 고급(3.1x3.1)
패키지/케이스	8-PowerVDFN
기준 제품 번호	TPN1110