Name: TK40E10N1,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK40E10N1S1X-ND
Price: 5244 KRW
Availability: InStock

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TK40E10N1,S1X
DigiKey 제품 번호	TK40E10N1S1X-ND
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제조업체 제품 번호	TK40E10N1,S1X
제품 요약	MOSFET N CH 100V 90A TO220
제조업체 표준 리드 타임	16주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 100 V 90A(Tc) 126W(Tc) 스루홀 TO-220
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	TK40E10N1,S1X 모델

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 4V @ 500µA
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 49 nC @ 10 V
계열 U-MOSVIII-H	Vgs(최대) ±20V
포장 튜브	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 3000 pF @ 50 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 126W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 스루홀
드레인 - 소스 전압(Vdss) 100 V	공급 장치 패키지 TO-220
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 90A(Tc)	패키지/케이스 TO-220-3
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	기준 제품 번호 TK40E10
Rds On(최대) @ Id, Vgs 8.2m옴 @ 20A, 10V

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문서 및 미디어

환경 및 수출 등급 분류

추가 리소스

대체품(4)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
PSMN8R7-80PS,127	Nexperia USA Inc.	8	1727-5898-ND	₩179.84000	유사
SQP120N10-09_GE3	Vishay Siliconix	213	SQP120N10-09_GE3-ND	₩233.44000	유사
STP100N10F7	STMicroelectronics	1,189	497-13550-5-ND	₩171.50000	유사
SUP85N10-10-E3	Vishay Siliconix	993	SUP85N10-10-E3-ND	₩300.13000	유사

재고: 6

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TK40E10N1,S1X