SQP120N10-09_GE3 Vishay Siliconix | 단일 FET, MOSFET

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 180 nC @ 10 V
제조업체 Vishay Siliconix	Vgs(최대) ±20V
계열 TrenchFET®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 8645 pF @ 25 V
포장 튜브	내전력(최대) 375W(Tc)
부품 현황 단종	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
FET 유형 N채널	등급 자동차
기술 MOSFET(금속 산화물)	인증 AEC-Q101
드레인 - 소스 전압(Vdss) 100 V	실장 유형 스루홀
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 120A(Tc)	공급 장치 패키지 TO-220AB
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	패키지/케이스 TO-220-3
Rds On(최대) @ Id, Vgs 9.5m옴 @ 30A, 10V	기준 제품 번호 SQP120
Vgs(th)(최대) @ Id 3.5V @ 250µA

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문서 및 미디어

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추가 리소스

대체품(5)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
AOT288L	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0	AOT288L-ND	₩30.81017	유사
FDP085N10A-F102	onsemi	0	FDP085N10A-F102-ND	₩116.06000	유사
IPP083N10N5AKSA1	Infineon Technologies	0	IPP083N10N5AKSA1-ND	₩29.25090	유사
IRFB4410ZPBF	Infineon Technologies	3,612	448-IRFB4410ZPBF-ND	₩73.71000	유사
TK34E10N1,S1X	Toshiba Semiconductor and Storage	20	TK34E10N1S1X-ND	₩86.32000	유사

재고: 213

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SQP120N10-09_GE3