Name: TK39N60X,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK39N60XS1F-ND
Price: 16052 KRW
Availability: OutOfStock

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유사

IXYS

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단가 : ₩18,177.00000

유사

STMicroelectronics

재고 있음: 0

단가 : ₩17,352.00000

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TK39N60X,S1F
DigiKey 제품 번호	TK39N60XS1F-ND
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제조업체 제품 번호	TK39N60X,S1F
제품 요약	MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
제조업체 표준 리드 타임	16주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 600 V 38.8A(Ta) 270W(Tc) 스루홀 TO-247
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	TK39N60X,S1F 모델

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
계열	DTMOSIV-H
포장	튜브
부품 현황	활성
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	38.8A(Ta)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	65m옴 @ 12.5A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	3.5V @ 1.9mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	85 nC @ 10 V
Vgs(최대)	±30V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	4100 pF @ 300 V
FET 특징	-
내전력(최대)	270W(Tc)
작동 온도	150°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	스루홀
공급 장치 패키지	TO-247
패키지/케이스	TO-247-3
기준 제품 번호	TK39N60