Name: TK2R9E10PL,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK2R9E10PL,S1X-ND
Price: 6895 KRW
Availability: InStock

TK2R9E10PL,S1X
DigiKey 제품 번호	264-TK2R9E10PL,S1X-ND
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제조업체 제품 번호	TK2R9E10PL,S1X
제품 요약	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
제조업체 표준 리드 타임	16주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 100 V 100A(Ta) 306W(Tc) 스루홀 TO-220
규격서	규격서

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
계열	U-MOSIX-H
포장	튜브
부품 현황	활성
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	100A(Ta)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	4.5V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	2.9m옴 @ 50A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	2.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	161 nC @ 10 V
Vgs(최대)	±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	9500 pF @ 50 V
FET 특징	-
내전력(최대)	306W(Tc)
작동 온도	175°C
등급	-
인증	-
실장 유형	스루홀
공급 장치 패키지	TO-220
패키지/케이스	TO-220-3

TK2R9E10PL,S1X