Name: TK095N65Z5,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK095N65Z5S1F(S-ND
Price: 13515 KRW
Availability: InStock

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

TK095N65Z5,S1F
DigiKey 제품 번호	264-TK095N65Z5S1F(S-ND
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제조업체 제품 번호	TK095N65Z5,S1F
제품 요약	650V DTMOS6-HIGH SPEED DIODE
제조업체 표준 리드 타임	16주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 650 V 29A(Ta) 230W(Tc) 스루홀 TO-247
규격서	규격서

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
계열	DTMOSVI
포장	튜브
부품 현황	활성
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	29A(Ta)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	95mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	4.5V @ 1.27mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	50 nC @ 10 V
Vgs(최대)	±30V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	2880 pF @ 300 V
FET 특징	-
내전력(최대)	230W(Tc)
작동 온도	150°C
등급	-
인증	-
실장 유형	스루홀
공급 장치 패키지	TO-247
패키지/케이스	TO-247-3