Name: STW26N60M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: STW26N60M2-ND
Price: 6757 KRW
Availability: InStock

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 4V @ 250µA
제조업체 STMicroelectronics	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 34 nC @ 10 V
계열 MDmesh™ M2	Vgs(최대) ±25V
포장 튜브	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 1360 pF @ 100 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 169W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 스루홀
드레인 - 소스 전압(Vdss) 600 V	공급 장치 패키지 TO-247-3
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 20A(Tc)	패키지/케이스 TO-247-3
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	기준 제품 번호 STW26
Rds On(최대) @ Id, Vgs 165m옴 @ 10A, 10V

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추가 리소스

대체품(3)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
R6022YNZ4C13	Rohm Semiconductor	587	846-R6022YNZ4C13-ND	₩11,420.00000	유사
SCT3120ALGC11	Rohm Semiconductor	232	SCT3120ALGC11-ND	₩16,282.00000	유사
SIHG24N65E-GE3	Vishay Siliconix	378	742-SIHG24N65E-GE3-ND	₩11,084.00000	유사

재고: 309

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참고: DigiKey 부가 가치 서비스로 인해, 표준 패키지보다 적은 수량으로 제품을 구매할 경우 포장 유형이 변경될 수 있습니다.

STW26N60M2