Name: R6022YNZ4C13
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-R6022YNZ4C13-ND
Price: 11420 KRW
Availability: InStock

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 6V @ 1.8mA
제조업체 Rohm Semiconductor	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 33 nC @ 10 V
포장 튜브	Vgs(최대) ±30V
부품 현황 활성	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 1400 pF @ 100 V
FET 유형 N채널	내전력(최대) 205W(Tc)
기술 MOSFET(금속 산화물)	작동 온도 150°C(TJ)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 600 V	실장 유형 스루홀
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 22A(Tc)	공급 장치 패키지 TO-247G
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V, 12V	패키지/케이스 TO-247-3
Rds On(최대) @ Id, Vgs 165m옴 @ 6.5A, 12V	기준 제품 번호 R6022

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R6022YNZ4C13