SCT2280KEC은(는) 단종되었으며 더 이상 제조되지 않습니다.
사용 가능한 대체품:

직접


Rohm Semiconductor
재고 있음: 0
단가 : ₩23,544.00000
규격서

유사


IXYS
재고 있음: 121
단가 : ₩19,905.00000
규격서

유사


IXYS
재고 있음: 258
단가 : ₩36,019.00000
규격서

유사


IXYS
재고 있음: 0
단가 : ₩15,036.76667
규격서

유사


IXYS
재고 있음: 26
단가 : ₩79,146.00000
규격서

유사


IXYS
재고 있음: 0
단가 : ₩49,342.02000
규격서

유사


IXYS
재고 있음: 269
단가 : ₩37,150.00000
규격서

유사


IXYS
재고 있음: 56
단가 : ₩59,210.00000
규격서

유사


IXYS
재고 있음: 0
단가 : ₩30,838.95333
규격서

유사


IXYS
재고 있음: 0
단가 : ₩40,392.68000
규격서

유사


Microchip Technology
재고 있음: 134
단가 : ₩13,285.00000
규격서
N채널 1200 V 14A(Tc) 108W(Tc) 스루홀 TO-247
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N채널 1200 V 14A(Tc) 108W(Tc) 스루홀 TO-247
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily

SCT2280KEC

DigiKey 제품 번호
SCT2280KEC-ND
제조업체
제조업체 제품 번호
SCT2280KEC
제품 요약
SICFET N-CH 1200V 14A TO247
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 1200 V 14A(Tc) 108W(Tc) 스루홀 TO-247
규격서
 규격서
EDA/CAD 모델
SCT2280KEC 모델
제품 특성
유사 제품 검색
빈 특성 표시
종류
Vgs(th)(최대) @ Id
4V @ 1.4mA
제조업체
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
36 nC @ 18 V
포장
튜브
Vgs(최대)
+22V, -6V
부품 현황
단종
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
667 pF @ 800 V
FET 유형
내전력(최대)
108W(Tc)
기술
작동 온도
175°C(TJ)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
1200 V
실장 유형
스루홀
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
공급 장치 패키지
TO-247
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
18V
패키지/케이스
Rds On(최대) @ Id, Vgs
364m옴 @ 4A, 18V
기준 제품 번호
환경 및 수출 등급 분류
제품 관련 질문 및 답변
추가 리소스
대체품(11)
부품 번호제조업체 주문 가능 수량DigiKey 제품 번호 단가 대체품 유형
SCT2280KEGC11Rohm Semiconductor0846-SCT2280KEGC11-ND₩23,544.00000직접
IXFH20N85XIXYS121IXFH20N85X-ND₩19,905.00000유사
IXFH26N100XIXYS258IXFH26N100X-ND₩36,019.00000유사
IXFJ20N85XIXYS0IXFJ20N85X-ND₩15,036.76667유사
IXFR32N100Q3IXYS26IXFR32N100Q3-ND₩79,146.00000유사
단종
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