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Rohm Semiconductor
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단가 : ₩6,995.00000
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Infineon Technologies
재고 있음: 96
단가 : ₩3,825.00000
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STMicroelectronics
재고 있음: 978
단가 : ₩3,289.00000
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유사


STMicroelectronics
재고 있음: 52
단가 : ₩5,596.00000
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유사


STMicroelectronics
재고 있음: 1,263
단가 : ₩3,155.00000
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유사


STMicroelectronics
재고 있음: 0
단가 : ₩7,605.00000
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onsemi
재고 있음: 948
단가 : ₩6,950.00000
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유사


Vishay Siliconix
재고 있음: 0
단가 : ₩4,643.00000
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유사


Infineon Technologies
재고 있음: 136
단가 : ₩4,197.00000
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STMicroelectronics
재고 있음: 720
단가 : ₩2,753.00000
규격서

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STMicroelectronics
재고 있음: 353
단가 : ₩6,191.00000
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유사


STMicroelectronics
재고 있음: 378
단가 : ₩3,914.00000
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STMicroelectronics
재고 있음: 0
단가 : ₩1,300.84100
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 952
단가 : ₩7,903.00000
규격서
TO-220-3
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R6012FNX

DigiKey 제품 번호
R6012FNX-ND
제조업체
제조업체 제품 번호
R6012FNX
제품 요약
MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 600 V 12A(Tc) 50W(Tc) 스루홀 TO-220FM
규격서
 규격서
EDA/CAD 모델
R6012FNX 모델
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
계열
-
포장
벌크
부품 현황
기존 설계 전용
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
510m옴 @ 6A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
5V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
1300 pF @ 25 V
FET 특징
-
내전력(최대)
50W(Tc)
작동 온도
150°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
스루홀
공급 장치 패키지
TO-220FM
패키지/케이스
기준 제품 번호
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벌크
수량 단가 총액
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제조업체 표준 포장