
BST70B2P4K01-VC | |
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DigiKey 제품 번호 | 846-BST70B2P4K01-VC-ND |
제조업체 | |
제조업체 제품 번호 | BST70B2P4K01-VC |
제품 요약 | HSDIP20, 1200V, 70A, FULL-BRIDGE |
제조업체 표준 리드 타임 | 27주 |
고객 참조 번호 | |
제품 세부 정보 | MOSFET - 어레이 1200V(1.2kV) 70A(Tc) 385W(Tc) 스루홀 20-HSDIP |
규격서 | 규격서 |
유형 | 제품 요약 | 모두 선택 |
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종류 | ||
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 박스 | |
부품 현황 | 활성 | |
기술 | 실리콘 카바이드(SiC) | |
구성 | 4 N채널(풀 브리지) | |
FET 특징 | - | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 70A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 25m옴 @ 70A, 18V | |
Vgs(th)(최대) @ Id | 4.8V @ 22.2mA | |
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 170nC @ 18V | |
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 4500pF @ 800V | |
전력 - 최대 | 385W(Tc) | |
작동 온도 | -40°C ~ 175°C | |
등급 | - | |
인증 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 20-PowerDIP 모듈(1.508", 38.30mm) | |
공급 장치 패키지 | 20-HSDIP |
| 수량 | 단가 | 총액 |
|---|---|---|
| 1 | ₩166,193.00000 | ₩166,193 |
| 10 | ₩139,547.60000 | ₩1,395,476 |
| 60 | ₩127,954.00000 | ₩7,677,240 |
| 120 | ₩124,818.18333 | ₩14,978,182 |


