Name: PMCM6501VPEZ
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 2156-PMCM6501VPEZ-NEX-ND
Price: 887.22062 KRW
Availability: InStock

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PMCM6501VPEZ
DigiKey 제품 번호	2156-PMCM6501VPEZ-NEX-ND
제조업체	NXP Semiconductors
제조업체 제품 번호	PMCM6501VPEZ
제품 요약	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
고객 참조 번호
제품 세부 정보	P채널 12 V 6.2A(Ta) 556mW(Ta), 12.5W(Tc) 표면 실장 6-WLCSP(1.48x0.98)
규격서	규격서

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	NXP Semiconductors
계열	-
포장	벌크
부품 현황	활성
FET 유형	P채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	12 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	6.2A(Ta)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	25m옴 @ 3A, 4.5V
Vgs(th)(최대) @ Id	900mV @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	29.4 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)	±8V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	1400 pF @ 6 V
FET 특징	-
내전력(최대)	556mW(Ta), 12.5W(Tc)
작동 온도	-55°C ~ 150°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	6-WLCSP(1.48x0.98)
패키지/케이스	6-XFBGA, WLCSP