IPP80N06S207AKSA1 Infineon Technologies | 단일 FET, MOSFET

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사용 가능한 대체품:

직접

Rochester Electronics, LLC

재고 있음: 37,026

단가 : ₩2,940.30263

유사

IXYS

재고 있음: 14

단가 : ₩7,676.00000

유사

STMicroelectronics

재고 있음: 933

단가 : ₩4,571.00000

유사

STMicroelectronics

재고 있음: 0

단가 : ₩4,293.00000

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제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Infineon Technologies
계열	OptiMOS™
포장	튜브
부품 현황	DigiKey에서 공급 중단
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	55 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	80A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	6.6m옴 @ 68A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	4V @ 180µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	110 nC @ 10 V
Vgs(최대)	±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	3400 pF @ 25 V
FET 특징	-
내전력(최대)	250W(Tc)
작동 온도	-55°C ~ 175°C(TJ)
등급	자동차
인증	AEC-Q101
실장 유형	스루홀
공급 장치 패키지	PG-TO220-3-1
패키지/케이스	TO-220-3
기준 제품 번호	IPP80N