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사용 가능한 대체품:

유사


Rohm Semiconductor
재고 있음: 324
단가 : ₩3,367.00000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 1,723
단가 : ₩3,058.00000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 968
단가 : ₩3,537.00000
규격서

등가 파라미터


Rochester Electronics, LLC
재고 있음: 12,107
단가 : ₩2,346.30000
규격서

등가 파라미터


Rochester Electronics, LLC
재고 있음: 15,905
단가 : ₩2,346.30000
규격서
N채널 200 V 11.8A(Tc) 50W(Tc) 스루홀 TO-220F-3
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FQPF19N20

DigiKey 제품 번호
FQPF19N20-ND
제조업체
제조업체 제품 번호
FQPF19N20
제품 요약
MOSFET N-CH 200V 11.8A TO220F
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 200 V 11.8A(Tc) 50W(Tc) 스루홀 TO-220F-3
규격서
 규격서
EDA/CAD 모델
FQPF19N20 모델
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
계열
포장
튜브
부품 현황
단종
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
150m옴 @ 5.9A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
1600 pF @ 25 V
FET 특징
-
내전력(최대)
50W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
스루홀
공급 장치 패키지
TO-220F-3
패키지/케이스
기준 제품 번호
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단종
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