TPH3202PD Renesas Electronics Corporation | 단일 FET, MOSFET

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사용 가능한 대체품:

유사

STMicroelectronics

재고 있음: 306

단가 : ₩4,495.00000

유사

Toshiba Semiconductor and Storage

재고 있음: 34

단가 : ₩7,782.00000

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TPH3202PD
DigiKey 제품 번호	TPH3202PD-ND
제조업체	Renesas Electronics Corporation
제조업체 제품 번호	TPH3202PD
제품 요약	GANFET N-CH 600V 9A TO220AB
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 600 V 9A(Tc) 65W(Tc) 스루홀 TO-220AB
규격서	규격서

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 2.5V @ 250µA
제조업체 Renesas Electronics Corporation	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 9.3 nC @ 4.5 V
포장 튜브	Vgs(최대) ±18V
부품 현황 단종	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 760 pF @ 480 V
FET 유형 N채널	내전력(최대) 65W(Tc)
기술 GaNFET(질화 갈륨)	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 600 V	실장 유형 스루홀
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 9A(Tc)	공급 장치 패키지 TO-220AB
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	패키지/케이스 TO-220-3
Rds On(최대) @ Id, Vgs 350m옴 @ 5.5A, 8V

제품 정보 오류 보고

문서 및 미디어

환경 및 수출 등급 분류

추가 리소스

대체품(2)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
STP15N60M2-EP	STMicroelectronics	306	497-15891-5-ND	₩4,495.00000	유사
TK10E60W,S1VX	Toshiba Semiconductor and Storage	34	TK10E60WS1VX-ND	₩7,782.00000	유사