Name: TK10E60W,S1VX
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK10E60WS1VX-ND
Price: 6861 KRW
Availability: InStock

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TK10E60W,S1VX
DigiKey 제품 번호	TK10E60WS1VX-ND
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제조업체 제품 번호	TK10E60W,S1VX
제품 요약	MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220
제조업체 표준 리드 타임	16주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 600 V 9.7A(Ta) 100W(Tc) 스루홀 TO-220
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	TK10E60W,S1VX 모델

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
계열	DTMOSIV
포장	튜브
부품 현황	활성
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	9.7A(Ta)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	380m옴 @ 4.9A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	3.7V @ 500µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs(최대)	±30V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	700 pF @ 300 V
FET 특징	-
내전력(최대)	100W(Tc)
작동 온도	150°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	스루홀
공급 장치 패키지	TO-220
패키지/케이스	TO-220-3
기준 제품 번호	TK10E60