Name: NP36P06SLG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-NP36P06SLG-E1-AYTR-ND
Price: 4051 KRW
Availability: InStock

P채널 60 V 36A(Tc) 1.2W(Ta), 56W(Tc) 표면 실장 TO-252(MP-3ZK)

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NP36P06SLG-E1-AY
DigiKey 제품 번호	559-NP36P06SLG-E1-AYTR-ND - 테이프 및 릴(TR) 559-NP36P06SLG-E1-AYCT-ND - 컷 테이프(CT) 559-NP36P06SLG-E1-AYDKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Renesas Electronics Corporation
제조업체 제품 번호	NP36P06SLG-E1-AY
제품 요약	MOSFET P-CH 60V 36A TO252
제조업체 표준 리드 타임	12주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	P채널 60 V 36A(Tc) 1.2W(Ta), 56W(Tc) 표면 실장 TO-252(MP-3ZK)
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	NP36P06SLG-E1-AY 모델

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Renesas Electronics Corporation
계열	-
포장	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®
부품 현황	활성
FET 유형	P채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	36A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	4.5V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	30m옴 @ 18A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	-
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	52 nC @ 10 V
Vgs(최대)	±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	3200 pF @ 10 V
FET 특징	-
내전력(최대)	1.2W(Ta), 56W(Tc)
작동 온도	175°C(TJ)
등급	자동차
인증	AEC-Q101
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	TO-252(MP-3ZK)
패키지/케이스	TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
기준 제품 번호	NP36P06