Name: NTMFS4D2N10MDT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS4D2N10MDT1GTR-ND
Price: 5458 KRW
Availability: OutOfStock

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유사

Renesas Electronics Corporation

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유사

Rohm Semiconductor

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NTMFS4D2N10MDT1G
DigiKey 제품 번호	488-NTMFS4D2N10MDT1GTR-ND - 테이프 및 릴(TR) 488-NTMFS4D2N10MDT1GCT-ND - 컷 테이프(CT) 488-NTMFS4D2N10MDT1GDKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	onsemi
제조업체 제품 번호	NTMFS4D2N10MDT1G
제품 요약	N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
제조업체 표준 리드 타임	45주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 100 V 16.4A(Ta), 113A(Tc) 2.8W(Ta), 132W(Tc) 표면 실장 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
규격서	규격서

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 4V @ 239µA
제조업체 onsemi	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 60 nC @ 10 V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	Vgs(최대) ±20V
부품 현황 활성	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 3100 pF @ 50 V
FET 유형 N채널	내전력(최대) 2.8W(Ta), 132W(Tc)
기술 MOSFET(금속 산화물)	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 100 V	실장 유형 표면 실장
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 16.4A(Ta), 113A(Tc)	공급 장치 패키지 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V	패키지/케이스 8-PowerTDFN, 5 리드(Lead)
Rds On(최대) @ Id, Vgs 4.3m옴 @ 46A, 10V	기준 제품 번호 NTMFS4

제품 정보 오류 보고

문서 및 미디어

환경 및 수출 등급 분류

추가 리소스

대체품(2)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
RBE037N10R1SZN6#HB0	Renesas Electronics Corporation	0	559-RBE037N10R1SZN6#HB0TR-ND	₩1,133.22300	유사
RS6P100BHTB1	Rohm Semiconductor	1,272	846-RS6P100BHTB1CT-ND	₩6,559.00000	유사