Name: SISH536DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISH536DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1717 KRW
Availability: OutOfStock

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SISH536DN-T1-GE3
DigiKey 제품 번호	742-SISH536DN-T1-GE3TR-ND - 테이프 및 릴(TR) 742-SISH536DN-T1-GE3CT-ND - 컷 테이프(CT) 742-SISH536DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Vishay Siliconix
제조업체 제품 번호	SISH536DN-T1-GE3
제품 요약	N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
제조업체 표준 리드 타임	55주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 30 V 24.7A(Ta), 67.4A(Tc) 3.57W(Ta), 26.5W(Tc) 표면 실장 PowerPAK® 1212-8SH
규격서	규격서

제품 특성

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Rds On(최대) @ Id, Vgs 3.25m옴 @ 10A, 10V
제조업체 Vishay Siliconix	Vgs(th)(최대) @ Id 2.2V @ 250µA
계열 TrenchFET® Gen V	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 25 nC @ 10 V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	Vgs(최대) +16V, -12V
부품 현황 활성	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 1150 pF @ 15 V
FET 유형 N채널	내전력(최대) 3.57W(Ta), 26.5W(Tc)
기술 MOSFET(금속 산화물)	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 30 V	실장 유형 표면 실장
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 24.7A(Ta), 67.4A(Tc)	공급 장치 패키지 PowerPAK® 1212-8SH
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V	패키지/케이스 PowerPAK® 1212-8SH

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