Name: G2R1000MT33J-TR
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G2R1000MT33J-TR-ND
Price: 38847 KRW
Availability: InStock

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G2R1000MT33J-TR
DigiKey 제품 번호	1913-G2R1000MT33J-TR-ND - 테이프 및 릴(TR) 1913-G2R1000MT33J-TRCT-ND - 컷 테이프(CT) 1913-G2R1000MT33J-TRDKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Navitas Semiconductor, Inc.
제조업체 제품 번호	G2R1000MT33J-TR
제품 요약	3300V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
제조업체 표준 리드 타임	20주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 3300 V 5A(Tc) 74W(Tc) 표면 실장 TO-263-7
규격서	규격서

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Rds On(최대) @ Id, Vgs 1.2옴 @ 2A, 20V
제조업체 Navitas Semiconductor, Inc.	Vgs(th)(최대) @ Id 3.5V @ 2mA
계열 LoRing™	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 21 nC @ 20 V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	Vgs(최대) +20V, -5V
부품 현황 활성	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 238 pF @ 1000 V
FET 유형 N채널	내전력(최대) 74W(Tc)
기술 SiCFET(실리콘 카바이드)	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 3300 V	실장 유형 표면 실장
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 5A(Tc)	공급 장치 패키지 TO-263-7
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 20V	패키지/케이스 TO-263-8, D2PAK(7리드 + 탭), TO-263CA