N 채널, 편향 모드 1000 V 3A(Tj) 125W(Tc) 표면 실장 TO-263HV
보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

IXTA3N100D2HV

DigiKey 제품 번호
238-IXTA3N100D2HV-ND
제조업체
IXYS
제조업체 제품 번호
IXTA3N100D2HV
제품 요약
MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV
제조업체 표준 리드 타임
32주
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N 채널, 편향 모드 1000 V 3A(Tj) 125W(Tc) 표면 실장 TO-263HV
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
IXYS
계열
Depletion
포장
튜브
부품 현황
활성
FET 유형
N 채널, 편향 모드
기술
MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
1000 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
3A(Tj)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
0V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
6옴 @ 1.5A, 0V
Vgs(th)(최대) @ Id
4.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
37.5 nC @ 5 V
Vgs(최대)
±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
1020 pF @ 25 V
FET 특징
-
내전력(최대)
125W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
표면 실장
공급 장치 패키지
TO-263HV
패키지/케이스
TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
기준 제품 번호
IXTA3
제품 관련 질문 및 답변

엔지니어의 질문을 확인하거나, 직접 질문하거나, DigiKey 엔지니어링 커뮤니티의 회원을 도와주세요.

재고: 697
추가 입고 예정인 재고 확인
수량
모든 가격은 KRW 기준입니다.
튜브
수량 단가 총액
1₩11,089.00000₩11,089
50₩5,958.60000₩297,930
100₩5,463.78000₩546,378
500₩4,597.27800₩2,298,639
1,000₩4,587.82600₩4,587,826
제조업체 표준 포장
참고: DigiKey 부가 가치 서비스로 인해, 표준 패키지보다 적은 수량으로 제품을 구매할 경우 포장 유형이 변경될 수 있습니다.
함께 고려해 볼 만한 제품
1 품목
IXTA3N100D2HV-TRL

IXTA3N100D2HV-TRL

MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV

IXYS

₩4,587.83375