N 채널, 편향 모드 1000 V 3A(Tj) 125W(Tc) 표면 실장 TO-263(D2PAK)
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N 채널, 편향 모드 1000 V 3A(Tj) 125W(Tc) 표면 실장 TO-263(D2PAK)
TO-263-D2PAK

IXTA3N100D2-TRL

DigiKey 제품 번호
238-IXTA3N100D2-TRLTR-ND - 테이프 및 릴(TR)
제조업체
IXYS
제조업체 제품 번호
IXTA3N100D2-TRL
제품 요약
MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
제조업체 표준 리드 타임
32주
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N 채널, 편향 모드 1000 V 3A(Tj) 125W(Tc) 표면 실장 TO-263(D2PAK)
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
IXYS
계열
Depletion
포장
테이프 및 릴(TR)
부품 현황
활성
FET 유형
N 채널, 편향 모드
기술
MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
1000 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
3A(Tj)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
0V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
6옴 @ 1.5A, 0V
Vgs(th)(최대) @ Id
4.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
37.5 nC @ 5 V
Vgs(최대)
±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
1020 pF @ 25 V
FET 특징
-
내전력(최대)
125W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
표면 실장
공급 장치 패키지
TO-263(D2PAK)
패키지/케이스
TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
기준 제품 번호
IXTA3
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테이프 및 릴(TR)
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800₩4,932.42750₩3,945,942
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