IXFH9N80Q IXYS | 단일 FET, MOSFET

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사용 가능한 대체품:

유사

Infineon Technologies

재고 있음: 518

단가 : ₩6,452.00000

유사

Infineon Technologies

재고 있음: 2,117

단가 : ₩9,280.00000

유사

STMicroelectronics

재고 있음: 521

단가 : ₩9,754.00000

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제품 특성

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 5V @ 2.5mA
제조업체 IXYS	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 56 nC @ 10 V
계열 HiPerFET™, Q Class	Vgs(최대) ±20V
포장 튜브	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 2200 pF @ 25 V
부품 현황 단종	내전력(최대) 180W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 스루홀
드레인 - 소스 전압(Vdss) 800 V	공급 장치 패키지 TO-247AD(IXFH)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 9A(Tc)	패키지/케이스 TO-247-3
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	기준 제품 번호 IXFH9
Rds On(최대) @ Id, Vgs 1.1옴 @ 500mA, 10V

제품 정보 오류 보고

문서 및 미디어

환경 및 수출 등급 분류

추가 리소스

대체품(3)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
SPW11N80C3FKSA1	Infineon Technologies	518	448-SPW11N80C3FKSA1-ND	₩6,452.00000	유사
SPW17N80C3FKSA1	Infineon Technologies	2,117	SPW17N80C3FKSA1-ND	₩9,280.00000	유사
STW10NK80Z	STMicroelectronics	521	497-3254-5-ND	₩9,754.00000	유사

단종

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취소 불가/반품 불가

IXFH9N80Q