Name: ISK018NE1LM7ATSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISK018NE1LM7ATSA1TR-ND
Price: 2307 KRW
Availability: InStock

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

ISK018NE1LM7ATSA1
DigiKey 제품 번호	448-ISK018NE1LM7ATSA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) 448-ISK018NE1LM7ATSA1CT-ND - 컷 테이프(CT) 448-ISK018NE1LM7ATSA1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	ISK018NE1LM7ATSA1
제품 요약	ISK018NE1LM7AULA1 MOSFET
제조업체 표준 리드 타임	39주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 15 V 30A(Ta), 129A(Tc) 2.1W(Ta), 39W(Tc) 표면 실장 PG-VSON-6-1
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	ISK018NE1LM7ATSA1 모델

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Infineon Technologies
계열	OptiMOS™ 7
포장	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®
부품 현황	활성
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	15 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	30A(Ta), 129A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	4.5V, 7V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	1.8m옴 @ 20A, 7V
Vgs(th)(최대) @ Id	2V @ 106µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	13.6 nC @ 7 V
Vgs(최대)	±7V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	1600 pF @ 7.5 V
FET 특징	-
내전력(최대)	2.1W(Ta), 39W(Tc)
작동 온도	-55°C ~ 150°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	PG-VSON-6-1
패키지/케이스	6-PowerVDFN