Name: IQE030N06NM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE030N06NM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 5536 KRW
Availability: InStock

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IQE030N06NM5CGSCATMA1
DigiKey 제품 번호	448-IQE030N06NM5CGSCATMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) 448-IQE030N06NM5CGSCATMA1CT-ND - 컷 테이프(CT) 448-IQE030N06NM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	IQE030N06NM5CGSCATMA1
제품 요약	OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
제조업체 표준 리드 타임	52주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 60 V 21A(Ta), 132A(Tc) 2.5W(Ta), 100W(Tc) 표면 실장 PG-WHTFN-9-1
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	IQE030N06NM5CGSCATMA1 모델

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Infineon Technologies
계열	OptiMOS™ 5
포장	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®
부품 현황	활성
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	21A(Ta), 132A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	6V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	3m옴 @ 20A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	3.3V @ 50µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	49 nC @ 10 V
Vgs(최대)	±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	3800 pF @ 30 V
FET 특징	-
내전력(최대)	2.5W(Ta), 100W(Tc)
작동 온도	-55°C ~ 175°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	PG-WHTFN-9-1
패키지/케이스	9-PowerWDFN