Name: IQE006NE2LM5CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE006NE2LM5CGATMA1TR-ND
Price: 6115 KRW
Availability: OutOfStock

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IQE006NE2LM5CGATMA1
DigiKey 제품 번호	448-IQE006NE2LM5CGATMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) 448-IQE006NE2LM5CGATMA1CT-ND - 컷 테이프(CT)
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	IQE006NE2LM5CGATMA1
제품 요약	MOSFET N-CH 25V 41A/298A PQFN
제조업체 표준 리드 타임	61주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 25 V 41A(Ta), 298A(Tc) 2.1W(Ta), 89W(Tc) 표면 실장 PG-TTFN-9-1
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	IQE006NE2LM5CGATMA1 모델

제품 특성

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 2V @ 250µA
제조업체 Infineon Technologies	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 82.1 nC @ 10 V
계열 OptiMOS™ 5	Vgs(최대) ±16V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT)	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 5453 pF @ 12 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 2.1W(Ta), 89W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 25 V	공급 장치 패키지 PG-TTFN-9-1
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 41A(Ta), 298A(Tc)	패키지/케이스 8-PowerTDFN
Rds On(최대) @ Id, Vgs 0.65m옴 @ 20A, 10V	기준 제품 번호 IQE006

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