
IQE006NE2LM5CGATMA1 | |
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DigiKey 제품 번호 | 448-IQE006NE2LM5CGATMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) 448-IQE006NE2LM5CGATMA1CT-ND - 컷 테이프(CT) |
제조업체 | |
제조업체 제품 번호 | IQE006NE2LM5CGATMA1 |
제품 요약 | MOSFET N-CH 25V 41A/298A PQFN |
제조업체 표준 리드 타임 | 26주 |
고객 참조 번호 | |
제품 세부 정보 | N채널 25 V 41A(Ta), 298A(Tc) 2.1W(Ta), 89W(Tc) 표면 실장 PG-TTFN-9-1 |
규격서 | 규격서 |
EDA/CAD 모델 | IQE006NE2LM5CGATMA1 모델 |
유형 | 제품 요약 | 모두 선택 |
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종류 | ||
제조업체 | ||
계열 | ||
포장 | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 활성 | |
FET 유형 | ||
기술 | ||
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25 V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | ||
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 0.65m옴 @ 20A, 10V | |
Vgs(th)(최대) @ Id | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 82.1 nC @ 10 V | |
Vgs(최대) | ±16V | |
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 5453 pF @ 12 V | |
FET 특징 | - | |
내전력(최대) | 2.1W(Ta), 89W(Tc) | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
등급 | - | |
인증 | - | |
실장 유형 | 표면 실장 | |
공급 장치 패키지 | PG-TTFN-9-1 | |
패키지/케이스 | ||
기준 제품 번호 |
| 수량 | 단가 | 총액 |
|---|---|---|
| 1 | ₩4,063.00000 | ₩4,063 |
| 10 | ₩2,620.80000 | ₩26,208 |
| 100 | ₩1,800.62000 | ₩180,062 |
| 500 | ₩1,463.65400 | ₩731,827 |
| 수량 | 단가 | 총액 |
|---|---|---|
| 5,000 | ₩1,195.80080 | ₩5,979,004 |












