Name: IQD005N04NM6CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQD005N04NM6CGATMA1TR-ND
Price: 4658 KRW
Availability: InStock

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IQD005N04NM6CGATMA1
DigiKey 제품 번호	448-IQD005N04NM6CGATMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) 448-IQD005N04NM6CGATMA1CT-ND - 컷 테이프(CT) 448-IQD005N04NM6CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	IQD005N04NM6CGATMA1
제품 요약	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
제조업체 표준 리드 타임	18주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 40 V 58A(Ta), 610A(Tc) 3W(Ta), 333W(Tc) 표면 실장 PG-TTFN-9-U02
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	IQD005N04NM6CGATMA1 모델

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Infineon Technologies
계열	OptiMOS™ 6
포장	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®
부품 현황	활성
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	40 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	58A(Ta), 610A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	6V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	0.47m옴 @ 50A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	2.8V @ 1.449mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	161 nC @ 10 V
Vgs(최대)	±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	12000 pF @ 20 V
FET 특징	-
내전력(최대)	3W(Ta), 333W(Tc)
작동 온도	-55°C ~ 175°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	PG-TTFN-9-U02
패키지/케이스	9-PowerTDFN
기준 제품 번호	IQD005

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