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사용 가능한 대체품:

등가 파라미터


Infineon Technologies
재고 있음: 210
단가 : ₩9,050.00000
규격서

유사


IXYS
재고 있음: 510
단가 : ₩24,354.00000
규격서

유사


Vishay Siliconix
재고 있음: 0
단가 : ₩5,179.57400
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 309
단가 : ₩6,757.00000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 582
단가 : ₩6,589.00000
규격서

유사


Toshiba Semiconductor and Storage
재고 있음: 23
단가 : ₩9,356.00000
규격서
N채널 650 V 22.4A(Tc) 195.3W(Tc) 스루홀 PG-TO247-3
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N채널 650 V 22.4A(Tc) 195.3W(Tc) 스루홀 PG-TO247-3
PG-TO247-3

IPW65R150CFDFKSA1

DigiKey 제품 번호
448-IPW65R150CFDFKSA1-ND
제조업체
제조업체 제품 번호
IPW65R150CFDFKSA1
제품 요약
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 650 V 22.4A(Tc) 195.3W(Tc) 스루홀 PG-TO247-3
규격서
 규격서
제품 특성
유사 제품 검색
빈 특성 표시
종류
Vgs(th)(최대) @ Id
4.5V @ 900µA
제조업체
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
86 nC @ 10 V
계열
Vgs(최대)
±20V
포장
튜브
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
2340 pF @ 100 V
부품 현황
단종
내전력(최대)
195.3W(Tc)
FET 유형
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)
기술
실장 유형
스루홀
드레인 - 소스 전압(Vdss)
650 V
공급 장치 패키지
PG-TO247-3
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
패키지/케이스
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
기준 제품 번호
Rds On(최대) @ Id, Vgs
150m옴 @ 9.3A, 10V
환경 및 수출 등급 분류
제품 관련 질문 및 답변
추가 리소스
대체품(6)
부품 번호제조업체 주문 가능 수량DigiKey 제품 번호 단가 대체품 유형
IPW65R150CFDFKSA2Infineon Technologies210448-IPW65R150CFDFKSA2-ND₩9,050.00000등가 파라미터
IXFH36N60PIXYS510IXFH36N60P-ND₩24,354.00000유사
SIHG24N65E-E3Vishay Siliconix0SIHG24N65E-E3-ND₩5,179.57400유사
STW26N60M2STMicroelectronics309STW26N60M2-ND₩6,757.00000유사
STW27N60M2-EPSTMicroelectronics582497-16490-5-ND₩6,589.00000유사
단종
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