N채널 700 V 10.5A(Tc) 86W(Tc) 스루홀 PG-TO251-3-11
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IPS70R600CEAKMA1

DigiKey 제품 번호
IPS70R600CEAKMA1-ND
제조업체
Infineon Technologies
제조업체 제품 번호
IPS70R600CEAKMA1
제품 요약
MOSFET N-CH 700V 10.5A TO251-3
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 700 V 10.5A(Tc) 86W(Tc) 스루홀 PG-TO251-3-11
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
Infineon Technologies
계열
CoolMOS™
포장
튜브
부품 현황
DigiKey에서 공급 중단
FET 유형
N채널
기술
MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
700 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
10.5A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
600m옴 @ 1A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
3.5V @ 210µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
474 pF @ 100 V
FET 특징
-
내전력(최대)
86W(Tc)
작동 온도
-40°C ~ 150°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
스루홀
공급 장치 패키지
PG-TO251-3-11
패키지/케이스
TO-251-3 스텁 리드, IPAK
기준 제품 번호
IPS70R
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