종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 4.5V @ 440µA
제조업체 Infineon Technologies	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 41 nC @ 10 V
계열 CoolMOS™	Vgs(최대) ±20V
포장 튜브	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 1100 pF @ 100 V
부품 현황 단종	내전력(최대) 104.2W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 스루홀
드레인 - 소스 전압(Vdss) 650 V	공급 장치 패키지 PG-TO220-3
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 11.4A(Tc)	패키지/케이스 TO-220-3
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	기준 제품 번호 IPP65R310
Rds On(최대) @ Id, Vgs 310m옴 @ 4.4A, 10V

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
IPP65R310CFDXKSA2	Infineon Technologies	209	448-IPP65R310CFDXKSA2-ND	₩4,800.00000	제조업체 추천
IXTP12N70X2M	IXYS	0	238-IXTP12N70X2M-ND	₩5,039.23000	유사
STP12N65M5	STMicroelectronics	0	497-10304-5-ND	₩2,155.40900	유사
STP13NM60N	STMicroelectronics	1,222	497-STP13NM60N-ND	₩8,240.00000	유사
STP15N65M5	STMicroelectronics	816	497-12936-5-ND	₩5,137.00000	유사

IPP65R310CFDXKSA1