IPP65R150CFDXKSA1은(는) 단종되었으며 더 이상 제조되지 않습니다.
사용 가능한 대체품:

등가 파라미터


Infineon Technologies
재고 있음: 0
단가 : ₩8,383.00000
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 765
단가 : ₩11,880.00000
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 776
단가 : ₩10,006.00000
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 1,034
단가 : ₩8,117.00000
규격서

유사


Vishay Siliconix
재고 있음: 0
단가 : ₩10,740.00000
규격서

유사


Vishay Siliconix
재고 있음: 0
단가 : ₩10,740.00000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 670
단가 : ₩6,666.00000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 862
단가 : ₩6,650.00000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 373
단가 : ₩7,134.00000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 49
단가 : ₩6,307.00000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 315
단가 : ₩7,852.00000
규격서

유사


Toshiba Semiconductor and Storage
재고 있음: 23
단가 : ₩8,086.00000
규격서
N채널 650 V 22.4A(Tc) 195.3W(Tc) 스루홀 PG-TO220-3
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IPP65R150CFDXKSA1

DigiKey 제품 번호
448-IPP65R150CFDXKSA1-ND
제조업체
제조업체 제품 번호
IPP65R150CFDXKSA1
제품 요약
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 650 V 22.4A(Tc) 195.3W(Tc) 스루홀 PG-TO220-3
규격서
 규격서
제품 특성
유사 제품 검색
빈 특성 표시
종류
Vgs(th)(최대) @ Id
4.5V @ 900µA
제조업체
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
86 nC @ 10 V
계열
Vgs(최대)
±20V
포장
튜브
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
2340 pF @ 100 V
부품 현황
단종
내전력(최대)
195.3W(Tc)
FET 유형
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)
기술
실장 유형
스루홀
드레인 - 소스 전압(Vdss)
650 V
공급 장치 패키지
PG-TO220-3
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
패키지/케이스
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
기준 제품 번호
Rds On(최대) @ Id, Vgs
150m옴 @ 9.3A, 10V
환경 및 수출 등급 분류
제품 관련 질문 및 답변
추가 리소스
대체품(12)
부품 번호제조업체 주문 가능 수량DigiKey 제품 번호 단가 대체품 유형
IPP65R150CFDXKSA2Infineon Technologies0448-IPP65R150CFDXKSA2-ND₩8,383.00000등가 파라미터
FCP110N65Fonsemi765FCP110N65FOS-ND₩11,880.00000유사
FCP150N65Fonsemi776FCP150N65FOS-ND₩10,006.00000유사
FCP165N60Eonsemi1,034FCP165N60E-ND₩8,117.00000유사
SIHP24N65E-E3Vishay Siliconix0SIHP24N65E-E3-ND₩10,740.00000유사
단종
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