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직접


Infineon Technologies
재고 있음: 3,984
단가 : ₩155.62000
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유사


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
재고 있음: 106
단가 : ₩191.03000
규격서

유사


Panjit International Inc.
재고 있음: 5,830
단가 : ₩111.82000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 0
단가 : ₩181.71000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 136
단가 : ₩254.40000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 7,212
단가 : ₩171.46000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 10,966
단가 : ₩271.17000
규격서
N채널 600 V 4.4A(Tc) 37W(Tc) 표면 실장 PG-TO252-3
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N채널 600 V 4.4A(Tc) 37W(Tc) 표면 실장 PG-TO252-3
PG-TO-252-3

IPD60R950C6

DigiKey 제품 번호
IPD60R950C6INTR-ND - 테이프 및 릴(TR)
제조업체
제조업체 제품 번호
IPD60R950C6
제품 요약
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 600 V 4.4A(Tc) 37W(Tc) 표면 실장 PG-TO252-3
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
계열
포장
테이프 및 릴(TR)
부품 현황
DigiKey에서 공급 중단
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
950m옴 @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
3.5V @ 130µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
280 pF @ 100 V
FET 특징
-
내전력(최대)
37W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
표면 실장
공급 장치 패키지
PG-TO252-3
패키지/케이스
기준 제품 번호
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