Name: IPD50N04S309ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD50N04S309ATMA1TR-ND
Price: 1396.5 KRW
Availability: InStock

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Infineon Technologies

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STMicroelectronics

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 26 nC @ 10 V
제조업체 Infineon Technologies	Vgs(최대) ±20V
계열 OptiMOS™	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 1750 pF @ 25 V
포장 테이프 및 릴(TR)	내전력(최대) 63W(Tc)
부품 현황 기존 설계 전용	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
FET 유형 N채널	등급 자동차
기술 MOSFET(금속 산화물)	인증 AEC-Q101
드레인 - 소스 전압(Vdss) 40 V	실장 유형 표면 실장
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 50A(Tc)	공급 장치 패키지 PG-TO252-3-11
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	패키지/케이스 TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
Rds On(최대) @ Id, Vgs 9m옴 @ 50A, 10V	기준 제품 번호 IPD50
Vgs(th)(최대) @ Id 4V @ 28µA

제품 정보 오류 보고

문서 및 미디어

환경 및 수출 등급 분류

추가 리소스

대체품(5)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
IPD50N04S309ATMA1	Infineon Technologies	78,069	IPD50N04S309ATMA1TR-ND	₩1,396.50000	등가 파라미터
FDD8445	onsemi	242	FDD8445CT-ND	₩2,018.00000	유사
STD64N4F6AG	STMicroelectronics	704	497-16304-1-ND	₩2,400.00000	유사
STD95N4LF3	STMicroelectronics	3,406	497-8776-1-ND	₩3,898.00000	유사
TK35S04K3L(T6L1,NQ	Toshiba Semiconductor and Storage	2,000	264-TK35S04K3L(T6L1,NQCT-ND	₩3,195.00000	유사