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Infineon Technologies
재고 있음: 12,848
단가 : ₩15.13000
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유사


Infineon Technologies
재고 있음: 22,736
단가 : ₩12.65000
규격서

유사


Infineon Technologies
재고 있음: 7,628
단가 : ₩13.23000
규격서

유사


Infineon Technologies
재고 있음: 38,263
단가 : ₩15.99000
규격서

유사


Diodes Incorporated
재고 있음: 3,749
단가 : ₩10.75000
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 634
단가 : ₩13.98000
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 1,052
단가 : ₩13.64000
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Vishay Siliconix
재고 있음: 3,203
단가 : ₩18.11000
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유사


Taiwan Semiconductor Corporation
재고 있음: 102,526
단가 : ₩11.16000
규격서
PG-TO252-3-11
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IPD30N06S2L23ATMA1

DigiKey 제품 번호
IPD30N06S2L23ATMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR)
제조업체
제조업체 제품 번호
IPD30N06S2L23ATMA1
제품 요약
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 55 V 30A(Tc) 100W(Tc) 표면 실장 PG-TO252-3-11
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
계열
포장
테이프 및 릴(TR)
부품 현황
Digi-Key에서 공급 중단
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
55 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
4.5V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
23m옴 @ 22A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
2V @ 50µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
1091 pF @ 25 V
FET 특징
-
내전력(최대)
100W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C(TJ)
등급
자동차
인증
AEC-Q101
실장 유형
표면 실장
공급 장치 패키지
PG-TO252-3-11
패키지/케이스
기준 제품 번호
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발송지: Rochester Electronics, LLC