Name: IPB025N10N3GE8187ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB025N10N3GE8187ATMA1TR-ND
Price: 4092.475 KRW
Availability: OutOfStock

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등가 파라미터

IPB025N10N3GATMA1

Infineon Technologies

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단가 : ₩10,981.00000

규격서

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N채널 100 V 180A(Tc) 300W(Tc) 표면 실장 PG-TO263-7

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IPB025N10N3GE8187ATMA1
DigiKey 제품 번호	IPB025N10N3GE8187ATMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR)
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	IPB025N10N3GE8187ATMA1
제품 요약	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 100 V 180A(Tc) 300W(Tc) 표면 실장 PG-TO263-7
규격서	규격서

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Infineon Technologies
계열	OptiMOS™
포장	테이프 및 릴(TR)
부품 현황	기존 설계 전용
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	180A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	6V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	2.5m옴 @ 100A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	3.5V @ 275µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	206 nC @ 10 V
Vgs(최대)	±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	14800 pF @ 50 V
FET 특징	-
내전력(최대)	300W(Tc)
작동 온도	-55°C ~ 175°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	PG-TO263-7
패키지/케이스	TO-263-7, D2PAK(6리드 + 탭)
기준 제품 번호	IPB025